하이닉스 Gb 44나노 DDR3 D램

삼성전자와 하이닉스의 기술경쟁이 더욱 치열하게 전개된다.

하이닉스는 8일 세계 최초로 1기가비트(Gb) 44나노 DDR3 D램 개발에 성공했다고 밝혔다.

지난 4일 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 1기가 DDR2 제품 개발을 개발한데 이어 하이닉스 역시 40나노급 개발에 성공한 셈이다.

특히 40나노급에서 DDR3가 표준으로 인정받고 있는 것을 감안하면 하이닉스의 이번 개발은 기술 개발에서 삼성전자를 앞선 것이;라는 평가도 나오고 있다.

이번 제품은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 50% 이상 생산성이 향상됐다. 또한 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다. 여기에 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족한다. 여기에 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps까지 속도 구현이 가능하다.

하이닉스는 이번 제품의 양산 시기를 3분기로 잡고 있다. 삼성전자 역시 40나노급 DDR3 D램 양산 시점을 3분기로 잡은만큼 세계 D램 시작에서 국내 제품의 경쟁력은 더욱 강화될 것으로 보인다.

해외 경쟁사들이 대부분 2010년 이후 40나노급 개발을 목표로 하고 있는 것을 감안하면, 하이닉스와 삼성전자는 경쟁사 대비 1~2년 가량 앞선 기술력을 확보한 셈이다.

특히 3분기께  D램 시장의 수요가 증가할 것으로 예상되면서 국내 업체들은 앞선 기술을 바탕으로 경쟁사들과의 격차를 벌일 것으로 보인다.

한편, 40나노는 머리카락 굵기의 3000분의 1 수준으로 회로 간격의 굵기가 가늘수록 반도체 생산성이 향상돼 반도체 업계에서 생존과 직결되는 생산성 향상과 원가경쟁력 강화에 직접적인 영향을 미친다.

이하늘 기자 ehn@ajnews.co.kr
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