D램 시장 점유율 1위인 삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단(최소 선폭) 14㎚(나노미터, 10억분의 1ｍ) D램 양산에 돌입했다. 차세대 D램 수요가 늘고 있는 메모리반도체 시장에서 지속적으로 '초격차'를 유지하겠다는 전략으로 풀이된다.

삼성전자는 반도체 미세 공정의 한계를 돌파하기 위해 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다. EUV는 기존 불화아르곤 레이저보다 파장이 10배 짧아, 더 세밀한 회로 구현이 가능한 공정이다.

◆업계 유일 EUV 멀티레이어 적용, 14나노 공정 부각

삼성전자는 이번에는 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어(다층) 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 데 성공했다고 밝혔다. 기존 경쟁업체들과의 D램 기술력 경쟁에서 우위를 점했음을 분명히 한 것이다.

이날 양산에 돌입한다고 밝힌 D램은 업계에서 '10나노급 4세대(1a) D램'으로 불리는 제품이다. 그동안 업계는 1a D램이라고 표현하며 구체적인 선폭을 제시하지 않았다. 이로 인해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 D램 제조업체들이 나란히 올해 1a D램 양산 계획을 밝혔음에도 업체별 구체적인 스펙은 비교하기가 어려웠다. 하지만 삼성전자는 지난 5월부터 "삼성전자의 1a D램은 14나노 공정에서 양산된다"는 사실을 구체적으로 알리며 기술력 입증에 공을 들여왔다.
 

삼성전자는 이번에도 '업계 최선단'임을 강조하며, 총 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 14나노 D램을 양산한다고 강조했다. 업계 최고의 웨이퍼 집적도를 통해 이전 세대(1z) 대비 생산성을 약 20% 개선했다는 설명이다. 이는 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 20% 증가한다는 뜻이다. 소비전력도 이전 공정(1z, 15㎚) 대비 약 20% 개선됐다고 밝혔다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 "지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔고, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단 14나노 공정을 구현했다"며 "고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 말했다.

◆신규 공정, 최신 DDR5에 가장 먼저 적용...차세대 D램 시장 공략

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용할 계획이다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로, 최근 데이터센터와 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장에서 수요가 커지고 있다. 

삼성전자는 업계 최소 선폭인 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 DDR5 D램 대중화를 선도하겠다고 강조했다. 또한 고용량 데이터 시장 수요에 적극적으로 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

가격 경쟁력도 높을 것이란 기대다. 앞서 한진만 삼성전자 메모리담당 부사장은 지난 2분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "14나노 D램에 EUV를 적용해 원가 경쟁력을 확보할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 그는 당시 "1개 레이어에서 EUV를 적용한 15나노대 제품에서 원가 교차점(크로스 포인트)을 넘었기 때문에, 다섯 개 레이어를 적용하면 원가 감소 폭이 훨씬 클 것이라고 예상한다"고 설명했다.

높은 가격 경쟁력을 바탕으로 삼성전자는 시장 1위 점유율을 견고하게 유지하겠다는 각오다. 시장조사기관 옴디아(omdia)에 따르면 삼성전자의 D램 시장 점유율(매출 기준)은 올해 1분기 41.2%에서 2분기 43.2%로 2%포인트 늘어 부동의 1위다. 2위 SK하이닉스는 28.8%에서 28.2%로, 3위 미국 마이크론은 24.3%에서 22.7%로 점유율이 하락했다.