(아주경제 이하늘 기자) 삼성이 부품부문에서 경쟁사와의 격차를 오히려 더 벌이며 불황 속에서도 홀로 독주할 수 있는 기반을 마련한다.

4일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이미 20나노급 D램 개발을 성공, 늦어도 8월 말까지는 양산에 돌입할 수 있도록 막바지 준비를 하고 있다.

삼성전자의 20나노급 D램 개발은 이미 지난해 말 연구실 단계에서 성공한 것으로 알려졌다. 이후 삼성전자는 양산을 위한 마무리 공정작업에 심혈을 기울였다. 수년 전부터 삼성전자는 메모리 반도체 양산 직전까지 공식적으로 제품 개발 사실을 공표하지 않고 있다. 양산에 돌입한 이후에야 개발사실을 알리고 본격적인 시제품 생산에 들어갔다.

하지만 지난 5월 엘피다가 20나노급 D램 개발에 성공했다고 발표하면서 일각에서는 삼성전자가 기술 주도권을 넘긴 것이 아니냐는 우려가 제기됐다. 다만 이달부터 20나노급 D램을 양산하겠다고 밝혔던 엘피다가 실제로 생산에 성공할지는 미지수다. 업계에 따르면 여전히 시장에서 엘피다의 30나노급 제품을 찾아볼 수 없다. 또 20나노급 제품 개발에 필요한 장비 수급도 이뤄지지 않은 것으로 보인다.

앞서 권오현 삼성전자 DS사업총괄 사장은 "삼성전자는 올해 하반기 20나노급 D램을 양산하는 것이 확실하다"고 발혔다. 업계 관계자 역시 "삼성이 최근 개발작업을 마무리한 것으로 알고 있다"며 "그간 40, 30나노급 D램 양산 진행과정과 속도를 감안하면 8월에는 양산이 가능할 것"이라고 전했다.

20나노급 D램 양산 이후 삼성전자는 미세공정에 더욱 속도를 높인다는 각오다. D램 고정거래가격이 1달러 밑에서 허덕이고 있지만 생산성을 높이고 부가가치가 높은 제품을 통해 수익성을 키우겠다는 전략이다.

삼성전자는 지난해 말 기준으로 40나노급 이하 D램 비중을 60% 이상으로 끌어 올렸다. 올해에는 30나노급 이하 비중을 절반 이상으로 늘린다는 계획이다. 회로 폭을 10나노 정도 줄이면 침 생산량은 1.6배 가량 늘어난다. 이를 통한 가격경쟁력 확보를 통해 해외 경쟁사와의 격차를 더욱 크게 벌일 수 있다.

여기에 지난해 5월에는 화성에 16라인 준공식을 가졌다. D램 가격이 불황을 이어가고 있는 가운데 오히려 설비투자에 적극적으로 나섬으로써 경쟁사와 규모의 경쟁에서 완승을 거두겠다는 각오다.

업계 관계자는 "삼성전자 반도체사업은 D램 가격 1달러 미만 시대에도 꾸준한 수익을 거두고 있다"며 "라인 증축에 이어 20나노급에서도 성공적인 양산을 진행하면 하이닉스 등 일부 메이저 기업을 제외한 군소 D램 기업들은 사업 진행여부를 고민해야 할 것"이라고 전했다.