삼성전자가 대용량 메모리 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 세계최초로 40나노급 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 적용한 서버용 32기가바이트(GB) D램 모듈을 다음달부터 양산한다고 29일 밝혔다.

이 제품은 기존 16GB D램 모듈보다 용량이 두 배다. 삼성전자는 지난해 3월 세계 최초로 50나노급 2Gb D램을 적용한 16GB D램 모듈을 양산했다. 이번 제품에 적용된 40나노급 4Gb DDR3 D램은 올 2월부터 양산됐다. 

이번 제품 출시로 삼성전자는 PC용 4GB D램 모듈에서부터 서버용 32GB D램 모듈까지 다양한 DDR3 D램 제품군을 확보하게 됐다. 

◆ 40나노급 2Gb D램 16GB D램 모듈 vs. 40나노급 4Gb D램 32GB D램 모듈

이번 제품은 기존 40나노급 2Gb D램으로 만든 16GB D램 모듈보다 용량은 두 배지만 소비 전력은 거의 같다. 

2웨이 서버에서 기존 16GB D램 모듈은 12개를 탑재, 최대 192GB까지 메모리를 탑재했다. 용량이 두 배인 이번 제품을 이용하면 최대 384GB까지 메모리를 탑재할 수 있다.

같은 용량의 메모리에서 사용되는 D램 모듈의 개수도 절반이다. 회사측은 "이를 통해 데이터 처리 속도는 800Mbps에서 1066Mbps로 향상되고 소비전력은 40% 정도 줄일 수 있다"고 설명했다.

4웨이 서버에서는 D램 모듈을 최대 64개까지 사용할 수 있어 최대 2테라바이트(TB) 메모리를 탑재한 고성능 서버 제품 출시가 가능해졌다.

또 대용량 메모리를 최대한 활용할 수 있는 다양한 소프트웨어와 응용 제품 개발도 활발해질 전망이다. 

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "지난해 16GB D램 모듈에 이어 올해에는 40나노급 32GB D램 모듈 양산으로 프리미엄 서버의 경쟁력을 더욱 강화하는 솔루션을 제시하게 됐다"며 "하반기에는 30나노급 제품을 출시해 대용량 D램 시장의 성장을 더욱 가속화시켜 나가겠다"고 말했다.

아주경제 감혜림 기자 kam85@ajnews.co.kr
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