하이닉스 48나노 낸드, 54나노 D램 양산

2008-04-20 12:00

60나노 보다 생산성 90% 높아

하이닉스반도체가 이달부터 48나노 낸드플래시와 54나노 D램의 본격 양산에 돌입한다.

하이닉스는 20일 "최근 48나노 공정 기술을 적용한 16Gb 낸드플래시 제품의 양산을 이달부터 시작했고, 내달에는 54나도 D램도 양산에 들어갈 것"이라고 밝혔다.

16Gb 낸드플래시는 삼성전자와 도시바가 이미 작년부터 양산하고 있지만 40나노급 공정을 적용하는 것은 하이닉스가 처음이다.

48나노 제품은 생산성이 60나노 제품에 비해 90％, 57나노 제품에 비해서는 60％ 이상 각각 향상되는 것이라고 하이닉스 측은 설명했다.

하이닉스는 41나노 낸드 공정에 대해서는 연말까지 준비를 끝내고 내년 초부터는 본격적인 양산을 시작한다는 계획이다.
54나노 D램도 다음 달 시험생산을 거쳐 올 7월부터 대량생산에 돌입하게 된다.

함께 하이닉스는 "최근 54나노 D램 (시험생산)에 필요한 수율을 확보해 다음달부터 DDR2 1Gb 제품 등의 양산을 시작할 계획"이라고 밝혔다.

하이닉스는 이와함께 고부가가치 제품인 모바일 D램 개발에 주력해, 작년 7%에 불과했던 시장점유율을 올해 20% 이상을 끌어올린다는 계획이다.

아울러 하이닉스는 30만 화소급 시모스 이미지센서(CIS)의 양산을 2분기 내에 시작하고 하반기에는 200만, 300만 화소 등 CIS 제품을 양산하는 한편, 내년에는 자동차용 CIS 시장에도 들어가는 등 비메모리 사업에도 본격적으로 진출한다.