삼성전자가 단일 칩 기준으로는 역대 최대 용량인 32기가비트(Gb) D램을 개발하는 데 성공했다.
삼성전자는 1일 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다. D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량이다.
지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램을 개발하며 D램 미세공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 하게 됐다는 평가다. 이로써 64킬로비트(Kb) D램을 개발했던 1983년 이후 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘렸다.
특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 크기에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘관통전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있게 됐다. 기존에는 32Gb 이하 용량 D램으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정을 반드시 사용해야 했다.
TSV 공정은 칩을 얇게 간 다음 수백 개 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술을 의미한다.
또한 같은 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 최적의 솔루션이 될 것이란 기대다. 12나노급 32Gb DDR5 D램은 연내 양산한다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1테라바이트(TB) 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "향후에도 차별화한 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했다.
한편 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또한 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품으로 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나간다.