삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 지난해 12월 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램을 개발하고, 미국의 반도체 기업인 AMD와 호환성 검증을 마친 데 따른 것이다. 이번 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다.

12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또한 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 이 때문에 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들이 주목할 것으로 보인다. 

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다.

삼성전자는 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다는 설명이다.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(Gigabit per second·1초당 전송되는 기가 비트 단위의 데이터)를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 

삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

한편 최근 D램 메모리 시장은 반도체 업황 부진으로 혹한기를 겪고 있지만, 시장조사업체 옴디아에 따르면 오는 2024년부터 큰 폭의 성장세가 전망된다는 긍정적인 관측이 나오고 있다.

삼성전자는 12나노급 D램에 대해 글로벌 IT기업들(애플, AT&T, 도이치텔레콤, 퀄컴, 버라이즌 등)과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다. 지난해 4분기 전체 D램 시장에서 42.7%를 점유하며 1위를 유지하고 있다.