삼성전자가 평택캠퍼스에 파운드리(위탁생산) 시설을 구축한다. 2030년까지 시스템 반도체 1위 달성 한다는 '2030 반도체비전'의 일환이다. 평택 라인 구축을 통해 미국 공장을 짓는 대만 TSMC를 중장기적으로 따라잡고, 중국 인터내셔널반도체(SMIC)의 추격을 뿌리친다는 방침이다.

삼성전자는 EUV(극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC, AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 반도체 비전 2030 관련 후속 조치다. 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다.

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.

삼성전자는 파운드리 분야에서 대만 TSMC에 이어 2위다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 매출 기준 지난 1분기 TSMC는 점유율은 54.1%이며, 삼성전자는 15.9%로 2위다. 뒤이어 글로벌파운드리(7.7%), UMC(7.4%), SMIC(4.5%) 순이다.

파운드리 부문은 반도체 패권을 놓고 미중 간에 경쟁이 펼쳐지고 있다. TSMC는 미국 애리조나주에 2029년까지 약 120억달러(14조7600억원)을 투자한다고 밝혔다. 미국 공장은 2024년 양산을 목표하고 있다.

TSMC의 미국 진출에 중국 업체인 SMIC도 투자를 준비하고 있다. SMIC는 지난 18일 중국 정부자금 22억5000만달러(2조7000억원)를 수혈 받았다고 밝혔다. 미국 정부의 화웨이 공급 차단 움직임에 중국 정부가 반도체 굴기를 위해서 SMIC를 통해서 수급을 확보하려는 조치로 분석된다.

삼성전자도 TSMC를 추격하고, SMIC 등 후발업체와 간격을 벌리기 위해서 투자를 결정한 것이다.

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상된다. 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 올해 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

또 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며, "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.