아주경제 신희강 기자 = 최근 국내 연구진이 소재의 구조 제어만으로 열전 반도체의 성능을 획기적으로 높일 수 있는 기술을 개발했다.

한국과학기술연구원(KIST) 전자재료연구단 백승협, 김진상 박사 공동연구팀은 대표적인 열전 반도체인 비스무스 텔루라이드 소재의 성능을 좌우하는 전자 농도를 외부 불순물을 첨가하지 않고 소재의 미세구조 조절로 가능하다는 새로운 물리현상을 발견했다고 16일 밝혔다.

비스무스 텔루라이드는 열전 반도체 소재로 상온에서 가장 높은 열전 변환 계수(효율)를 가지고 있으며, 현재 냉매를 사용하지 않는 냉각시스템에 열전소자로 널리 활용되고 있다.

열전 반도체에서 전자의 농도는 소재의 냉각능력 및 발전능력을 좌우하는 매우 중요한 요소로, 통상적으로 불순물을 첨가하는 도핑기술이 사용돼 왔다.

연구팀은 소재 내 구조 결함을 이용해 전하의 농도를 제어하는 새로운 방법을 제시했다. 비스무스 텔루라이드 열전반도체에 존재하는 결정립 계면에서 자유전자가 생성된다는 사실을 발견하고 이에 대한 물리적 원인을 제시했다.

금속유기화학 증착법(MOCVD)을 이용해 결정계면의 농도가 서로 다른 비스무스 텔루라이드 박막을 성장시키고, 결정계면의 농도에 비례하여 자유전자 농도가 증가하는 것을 관찰했다. 실험뿐 아니라 계산을 통해서 계면에 존재하는 원자들의 위치 변화가 소재의 전자구조를 변화시켜 자유전자를 생성할 수 있음을 이론적으로 증명한 것.

백승협 박사는 “본 연구를 통해 열전 반도체 뿐 아니라, 이황화몰리브텐(MoS2)와 같은 다양한 반도체 소재에서 전기적 특성을 이해하는 데 새로운 시각을 제공할 것”이라고 밝혔다.

한편 이번 연구는 국가과학기술연구회 창의형 융합연구사업 지원으로 수행됐으며, 연구결과는 국제 저명저널인 ‘Nature Communications’(IF:11.32) 16일자 온라인으로 게재됐다.