아주경제 이재영 기자 = 삼성전자가 20나노 D램 양산에 가장 먼저 성공하며 10나노급 D램 양산 가능성도 높였다.

또한 20나노대 공정 비중을 확충해 마이크론 등 후발 기업과의 격차를 벌렸다.

SK하이닉스도 연내 20나노 초반대 양산에 진입할 것으로 보여, 과점형으로 개편된 세계 반도체 산업에서도 한국이 계속 주도권을 가져갈 것으로 전망된다.

삼성전자는 11일 20나노 D램 양산을 이달부터 시작했다며, 이 같은 공정한계를 극복한 비결이 신개념 독자기술 덕분이라고 밝혔다.

이번 20나노 D램에는 신개념 ‘개량형 이중 포토 노광 기술’과 ‘초미세 유전막 형성 기술’이 적용됐다.

특히 삼성전자는 개량형 이중 포토 노광 기술을 통해 기존 포토장비로 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련했다고 설명했다.

공정 한계에 대한 시장의 우려에도 10나노급 D램 양산이 충분히 가능하다고 했던 삼성전자의 공언이 구체성과 설득력을 더한 것이다.

삼성전자는 또한 20나노대 공정 비중을 확충함으로써 계속적인 시장 경쟁우위를 점하게 됐다. IHS아이서플라이는 올해 삼성전자가 2y 나노 비중을 1분기 10% 수준에서 4분기까지 36%로 끌어올리는 등 미세공정 경쟁력에서 앞서 나갈 것을 관측했었다. 이번 20나노 D램 양산으로 이러한 전망에 힘을 보탠다.

국내 SK하이닉스도 맹추격 중이다. 업계 관계자는 “SK하이닉스도 올해 안에 20나노 초반대 D램 양산에 성공할 것으로 보인다”고 전망했다. 더불어 SK하이닉스의 20나노대 공정비중은 올해 89%에 달할 것으로 전망됐다.

엘피다를 인수해 국내 기업들을 위협했던 마이크론은 아직 30나노대 공정 비중이 70% 이상을 차지해 여전히 상당한 격차가 있다.

한편, 이번 삼성전자의 20나노 D램은 소비전력을 25나노대비 25% 절감할 수 있는 저전력 D램으로, 저전력 제품으로 고도화되는 모바일 시장 대응에도 유리할 것으로 전망된다.