아주경제 권석림 기자= 기존과 다른 획기적인 제조 공정을 사용해 저렴하면서 고전압을 구현하는 박막태양전지 기술이 국내 연구진에 의해 개발되었다.

한국과학기술연구원(KIST)는 민병권 청청에너지연구센터 박사팀이 프린팅 방법과 같은 저가형 공정을 이용하여 고전압을 낼 수 있는 박막태양전지 기술을 개발했다고 25일 밝혔다.

연구팀은 기존에 사용하던 셀레늄(Se) 대신 황(S)으로 이루어진 CIGS(구리-인듐-갈륨-황 화합물) 박막을 간단한 특수 용액을 기판에 바르는 페이스트 코팅법으로 제조해 띠간격 1.5eV 이상을 갖는 박막 구현에 성공했다.

이를 적용한 태양전지 소자 제작을 통해 태양광-전기 변환 효율 8.3%, 개방전압 787mV 의, 현재 보고된 저가형 고전압 CIGS 박막태양전지 중 세계 최고 효율을 달성했다.

민 박사는 "발전용뿐만 아니라 건물용 태양전지로도 적용이 가능하며, 유연성 기판에도 적용할 수 있어 다양하게 응용할 수 있다"고 말했다.