(아주경제 감혜림 기자) 하이닉스 반도체가 올해 투자금액을 상향조정하며 40나노급 제품 비중 확대에 나섰다.

하이닉스반도체는 올해 투자금액을 기존 2조3000억원보다 7500억원 늘어난 3조500억원으로 확대한다고 31일 밝혔다.

회사측은 이번 투자금액 확대가 최근 메모리반도체 시장에서 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 수요가 늘고 있는 만큼 이에 대응하기 위한 것이라고 설명했다.

더불어 차세대 제품 개발을 위한 R&D 투자도 확대, 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.

하이닉스는 이번 투자를 통해 D램 공정전환을 가속화하고 약 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다.

40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있는데 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 적기에 공급해 수익성을 높이겠다는 것.

하이닉스반도체 관계자는 "미세공정전환 가속화 및 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획"이라고 밝혔다.  

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