삼성전자는 기존 모바일 D램 보다 8배 빠른 차세대 'WIDE IO 모바일 D램'을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 가지고 있다.
이처럼 속도를 획기적으로 개선한 것은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘였기 때문이다. 아울러 소비전력도 87%를 절감시켰다. 이를 통해 배터리 소모를 크게 줄여 스마트 기기의 해결과제 중 하나인 배터리 이슈를 완화할 수 있게 됐다. 아울러 삼성전자가 지속적으로 펼치고 있는 '친환경' 전략도 강화할 수 있게 됐다.
삼성전자는 20~24일 미국 샌프란시스코에서 열리는 세계 3대 반도체 학회 중 하나인 '국제반도체학술회의'(ISSCC)에서 'WIDE IO 모바일 D램' 기술 논문을 소개하며 모바일 부문에서의 기술력을 과시할 계획이다.
삼성전자 반도체사업부 소병세 전무는 "이 제품을 통해 제조사들이 더욱 성능을 높인 그린 모바일 기기를 개발할 수 있도록 할 것"이라며 "앞으로도 대용량 고성능의 모바일 그린 메모리 를 지속 개발해 모바일 시장의 성장을 견인하겠다"고 밝혔다.
한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 전체 D램 제품 가운데 모바일 D램의 비중은 지난해 11%에서 2014년 17%로 꾸준히 증가할 전망이다. 삼성전자는 전체 모바일 D램 시장에서 51% 상당의 점유율을 기록하고 있다.(아이서플라이, 지난해 3분기 기준) 아울러 전체 D램 생산량 중 모바일 D램의 비중이 20%를 넘어서며 성장세를 보이고 있는 모바일 D램 시장에서 압도적인 선두자리를 지키고 있다.