아주경제 이재영 기자 = SK하이닉스는 기술 본원적 경쟁력 강화를 통해 지난해 사상 최고의 경영 실적을 달성했다. 올해도 핵심 기술에 역량을 집중해 시장 지위를 강화한다는 방침이다.

SK하이닉스는 올해 메모리 기술 공정 수준을 한차원 끌어 올린다. D램은 21나노 공정 양산을 본격화해 생산성을 제고하고 동시에 10나노대 기술 개발에도 집중해 차기 시장경쟁에 대비한다.

D램 업계는 중국 업체들의 메모리 시장 신규 진입에도 기술 확보의 어려움으로 격차를 벌릴 수 있을 것으로 보고 있다.

업계는 올해 경쟁 자제를 통한 수급 개선을 꾀하는 양상이다. 수요가 부진한 가운데 공격적인 투자를 자제하고 있다. 3분기 성수기에 진입하면 시장 상황은 개선될 것으로 관측된다.

낸드플래시는 하반기 도시바, 마이크론 등 다수 업체가 3D 낸드 양산을 시작할 것으로 전망되는 가운데 SK하이닉스도 3D 낸드의 양산 체제를 구축한다. 아울러 기존 2D 제품의 추가적인 미세화를 통해 원가절감에도 나선다.

박성욱 SK하이닉스 사장은 “메모리 반도체 수요 성장 둔화에 따른 시장상황의 악화에 선제적으로 대응하기 위해, 투자 지출 및 영업 비용의 효율적인 사용에 최선을 다하겠다”며 “투자 집행에 있어서 투자의 타당성과 경제성을 지속적으로 재점검해 수익성 위주로 의사결정을 하고, 비용 집행도 자원 관리체계 전반의 프로세스를 고도화할 것”이라고 밝혔다.

또한 “미래 성장을 대비하고 본원적 제조 경쟁력 강화를 위해 지난해 완공한 M14의 차질 없는 양산 전개로 생산을 효율화하고 시장의 수요 증가에 적시 대응하겠다”며 “HBM(광대역폭 메모리), NVDIMM(비휘발성 메모리) 등 제품 혁신에 선도적으로 대응하는 한편, 뉴 메모리 솔루션의 기술 흐름을 철저히 파악해 기술 생태계 구축에 앞장서겠다”고 덧붙였다.

한편, SK하이닉스는 지난해 업계 최초로 D램 20나노 중반급 8Gb LPDDR4 제품을 스마트폰에 탑재하고 차세대 고성능 제품인 DDR4 및 LPDDR4와 같은 고수익 제품 위주의 생산과 판매를 확대했다.

낸드플래시 부문에서는 TLC 제품의 성공적 개발과 양산을 통해 제품 라인업을 강화하고 원가절감을 통한 수익성 개선을 이뤘다.

이로써 지난해 매출은 18조8000억원, 영업이익은 5조3000억원을 달성해 2013년부터 3년 연속 최고 기록을 갱신했다.