(아주경제 김지성 기자) 인텔이 연내에 3D 반도체 생산에 나설 것으로 알려지면서 삼성전자의 대응에 관심이 쏠리고 있다. 양산 계획을 밝히지는 않았지만 삼성전자는 지난해 세계 최초로 3D 반도체 개발에 성공한 바 있다.

5일(현지시간) 파이낸셜타임즈는 인텔은 전날 연내에 혁명적인 3D 기술을 적용한 반도체를 생산할 계획이라고 밝혔다.

인텔이 선보인 반도체 디자인은 칩 위에 3차원 트랜지스터가 집적되는 방식으로, 기존의 평면 칩에 트랜지스터를 집적하는 방식에서 진화한 접근법이다.

이에 따라 3D 반도체는 기존 방식에 비해 집적도를 높일 수 있고, 모바일기기의 전력 소비량을 줄이게 돼 결과적으로 대형 서버의 용량을 강화할 수 있는 장점이 있다.

이 같은 소식에 업계는 삼성전자의 대응에 촉각을 곤두세우고 있다. 최근 애플이 차세대 칩 거래선을 삼성전자에서 인텔로 전환한다는 소식이 들려오는 상황에서 인텔이 3D 반도체를 양산하게 되면 그만큼 경쟁력 축소에 대한 우려가 있기 때문이다.

하지만 삼성전자측은 동요하지 않는 모습이다. 삼성전자 관계자는 “아직 양산에 들어간 것이 아니지 않느냐”면서 “인텔의 공식 발표는 아닌 것으로 안다”고 말했다.

이 같은 반응은 삼성전자가 이미 지난해 3D 반도체 디자인에 세계 처음으로 성공했기 때문인 것으로 풀이된다.

삼성전자는 지난해 12월 7일 세계 최초로 ‘3차원(3D)-TSV(Through Silicon Via)’를 적용한 8기가바이트(GB) 더블데이터레이트(DDR)3 D램을 개발했다고 밝힌바 있다.

당시 삼성전자는 40나노미터(㎚)급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 ‘3D-TSV 기술’로 적층한 칩을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했다고 밝혔다.

또한 이 제품은 그 해 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능시험을 완료하기도 했다.

이에 따라 삼성전자도 시장상황에 따라 올해 3D 반도체 양산도 가능할 것으로 전망된다.

실제로 지난해 말 삼성전자측은 “내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 예정”이라고 밝혔다.