하이닉스 "D램 40나노급 비중 연말엔 절반"
2010-10-28 09:23
(아주경제 김지성 기자) 하이닉스반도체는 40나노급 D램 제품의 비중을 올해 말까지 50% 수준으로 끌어 올릴 계획이라고 28일 밝혔다.
하이닉스는 지난 2분기부터 본격적으로 40나노급 제품양산을 시작했고, 40나노급 제품은 3분기말 기준으로 30%의 비중을 차지하고 있다.
또 하이닉스는 내년 1분기 30나노급 제품 양산을 시작할 계획이다.
공정전환과 함께 하이닉스는 스페셜 D램 비중을 비중을 3분기 기준으로 D램 매출의 60% 수준까지 확대할 계획이다. PC용 D램에 비해 가격변동성이 덜한 모바일·그래픽·서버용D램 등의 고부가가치 제품 비중을 높여 안정된 수익구조를 갖추기 위해서다.
한편 하이닉스는 "낸드플래시에서도 30나노급 제품의 비중이 60% 이상으로 확대됐다"면서 "지난 8월에 시작된 20나노급 제품도 성공적으로 양산되고 있어 선두 업체와의 기술격차가 거의 해소됐다"고 밝혔다.
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